国产闪存跳级式发展:明年追上232层 与三星技术差距只有1年

昨晚美光公司宣布量产了232层闪存,这是全球首个突破200层的闪存,是目前速度最快、密度最高的TLC闪存,接下来三星、恺侠、西数、SK海力士的200+层闪存也会陆续量产。

在闪存行业,国内的厂商长江存储也在奋起追赶,而且他们采取的策略不同,是跳级式发展,中间会越过一些过渡性的闪存,量产64层闪存之后就进入了128层,跳过了中间的96层闪存。

目前长江存储生产的闪存主力是128层,今年下半年将进一步提升到192层,200+层以上的闪存也在开发中,最快2023年底就能看到232层闪存,慢一点的话也会在2024年搞定。

如果明年看到国产的232层闪存,那意味着从技术上来说国产闪存与三星、美光、SK海力士等公司的差距只有1年左右,提升的非常快。

当然,技术差距缩短是一方面,国产闪存目前主要的问题还是产能不足,全球份额也就5%左右,三星的份额超过35%,恺侠、收购Intel闪存业务的SK海力士两家大约也在20%上下,未来几年中提升产能、抢占市场份额依然是国产闪存努力的方向。

国产闪存跳级式发展:明年追上232层 与三星技术差距只有1年